Fakulta informačních technologií VUT v Brně

Detail produktu

Hybridní platforma s multifunkčními obvodovými komponentami

Vznik: 2016

Název anglicky
Hybrid platform with multifunctional circuit components
Typ
Licence
podle podmínek - volitelně zdarma
Autoři
Šimek Václav, Ing. (UPSY FIT VUT)
Stříteský Stanislav, Ing. (UFSCH FCH VUT)
Růžička Richard, doc. Ing., Ph.D., MBA (UPSY FIT VUT)
Weiter Martin, Prof. Ing., Ph.D. (FCH VUT)
Klíčová slova
Organická elektronika, ambipolarita, polymorfní elektronika, multifunkční obvody, čip expandér, organický tranzistor, hybridní integrace, LOFET.
Popis
Elektrické obvody vytvořené na bázi pestré škály organických materiálů, které vykazují vlastnosti polovodičů, jsou stále vnímány coby poněkud neobvyklý přístup z pohledu návrhu i jejich samotné realizaci. Nicméně je možné v tomto způsobu řešení rozpoznat mnoho aspektů přinášejících celou řadu výhod. Materiály nacházející uplatnění v oblasti organické elektroniky jsou typicky lehčí, flexibilnější, snáze se s nimi pracuje a v konečném důsledku je lze označit i za méně nákladné ve srovnání tradičními anorganickými materiály, které jsou ve spojitosti s elektronikou běžně používány (např. měď a křemík tvořící oporu konvenčního CMOS procesu).

V odborné literatuře již dříve publikované výsledky z této oblasti naznačují, že jistá množina organických materiálů by mohla být s úspěchem použita pro konstrukci tranzistorů řízených polem (OFET), které vykazují do jisté míry neobvyklou schopnost ambipolárního přenosu elektrického náboje. V případě základních elektronických struktur tohoto typu se rovněž otevírají možnosti jejich uplatnění coby klíčových komponent pro oblast takzvaných multifunkčních logických prvků nebo dokonce nepoměrně komplexnějších polymorfních obvodů.

Pro účely demonstrace vlastností samotných ambipolárních tranzistorů i reálných multifunkčních obvodových bloků byla vyvinuta hybridní platforma na bázi substrátu LOFET3, na němž je k dispozici pomocí lift-off techniky zhotovená základní elektrodová infrastruktura (pro tranzistory, invertory, registry a další obvodové prvky). V tomto případě postačovalo po samotném sejmutí krycího resistu z povrchu LOFET3 substrátu vhodnou metodou, např. PVD procesem či tzv. spin-coatingem, nanést aktivní organickou vrstvu a následně ji překrýt ochranným materiálem (např. PMMA).
Umístění
Ústav počítačových systémů, Fakulta informačních technologií VUT v Brně, Božetěchova 2, 612 66 Brno
Soubory
Nahoru